充電偽影：

鍍膜厚度不足或鍍膜不連續(xù)會導致電荷在SEM成像過程中積累，產(chǎn)生圖像變形、亮點和掃描光柵偏移。避免方法：?確保足夠的鍍膜厚度和連續(xù)性。使用導電的樣品固定介質(zhì)（如導電膠帶、銀膠）有效地將樣品接地。

顆粒感/粗糙度：

鍍膜材料本身的晶粒結(jié)構(gòu)在高放大倍數(shù)下可能會變得可見，從而掩蓋樣品的精細特征。避免方法：?對于高分辨率應(yīng)用，選擇晶粒尺寸更小的鍍膜材料（如鉑、銥）。

過熱/電子束損傷：

過高的濺射功率或過長的濺射時間會導致樣品過熱，可能對熱敏感的生物樣品造成損傷。避免方法： 使用磁控濺射儀以減少熱量產(chǎn)生。嘗試短時多次濺射方法，縮短濺射時間，并盡可能監(jiān)測樣品溫度。

污染：

濺射氣體中的雜質(zhì)或真空室的污染會導致鍍膜污染。避免方法：?使用高純度的氬氣。定期清潔濺射儀真空室。在濺射前用氬氣沖洗真空室。

鍍膜不連續(xù)/陰影效應(yīng)：

樣品表面不規(guī)則和樣品表面太過粗糙可能由于陰影效應(yīng)導致鍍膜不均勻。避免方法：?使用旋轉(zhuǎn)傾斜樣品臺（廣州競贏的離子濺射儀都可配旋轉(zhuǎn)傾斜樣品臺）。

鍍膜前樣品制備引起的偽影：

生物樣品固定、脫水或干燥不當會導致結(jié)構(gòu)塌陷或其他偽影，這些偽影可能會因鍍膜而加劇或被掩蓋。避免方法：?遵循標準的樣品固定、脫水（如使用梯度乙醇系列）和干燥（如臨界點干燥或六甲基二硅氮烷處理）流程。離子濺射鍍膜是許多SEM樣品制備流程的最后一步，其成功很大程度上取決于前面步驟的質(zhì)量。固定、脫水或干燥過程中的任何錯誤或不足都可能導致偽影，即使鍍膜本身是最佳的。